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国家知识产权局信息显示，深圳崧盛创新技术有限公司取得一项名为“碳化硅MOSFET桥式电路的串扰抑制驱动电路及电源设备”的专利，授权公告号CN223625755U，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本实用新型涉及碳化硅MOSFET桥式电路的串扰抑制驱动电路及电源设备。串扰抑制驱动电路包括上桥驱动模块、上桥串扰抑制模块、下桥驱动模块和下桥串扰抑制模块；上桥驱动模块分别连接上桥串扰抑制模块和上桥臂，上桥串扰抑制模块还连接上桥臂；下桥驱动模块分别连接下桥串扰抑制模块和下桥臂，下桥串扰抑制模块还连接下桥臂。各串扰抑制模块与对应的桥臂共用关断信号和导通信号，无需额外增加检测或控制电路对串扰抑制模块进行控制；各串扰抑制模块在对应的桥臂关断过程中与其接通，能够抑制碳化硅MOSFET的正向驱动串扰和负向驱动串扰；各串扰抑制模块在对应的桥臂导通前自动与其断开，可以降低桥臂的导通损耗，避免降低电路效率。
天眼查资料显示，深圳崧盛创新技术有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本5454.54万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳崧盛创新技术有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息18条，此外企业还拥有行政许可4个。
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